Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы

На главную
Схемы
Программы
Справочник
История
Журналы
Ссылки
Новости
 
Схемы


Схемы > Цифровая электроника > Сенсор с фиксацией

Сенсор с фиксацией

В отличие от обычных переключателей. кнопок и тумблеров, сенсоры имеют более высокие показатели механической прочности и надежности. Для того чтобы ими можно было заменить двухпозиционные переключатели. предлагаю простую схему.

Безразлично, как коснуться сенсора Е1 — с помощью кулака или с помощью пальца. Транзистор VT1 может находиться в одном из двух состояний: включено или выключено (в зависимости от своего предыдущего состояния). При этом кулак или палец может нходиться на сенсоре сколь угодно долго — транзистор изменит свое состояние только при последующем касании. 

Схема сенсора с фиксацией

Рис.1. Схема сенсора с фиксацией

Элементы Dl.1. D1.2 и времязадающая цепь VD1. R3. С2 обеспечивают формирование одиночного короткого импульса из пачки импульсов частоты 50 Гц. возникающих при касании сенсора Е1. Этот короткий импульс, поступая на вход "С" триггера D2, вызывает его переключение.

Поскольку даже этот короткий импульс может состоять из нескольких еще более коротких импульсов, для исключения ложных срабатываний триггера D2 введена помехозащищающая цепь R4,СЗ.

Недостатком данной схемы сенсора является то, что при возникновении сильной электромагнитной помехи, вызванной включением в сеть 220 В мощной электроаппаратуры, может происходить ложное переключение триггера. Чтобы избежать этого, следует ввести блокировочную цепь для входа "R" триггера D2. или предусмотреть задержку подачи пачки импульсов 50 Гц на вход элементов Dl.1 и D1.2.

Для увеличения чувствительности сенсора перед элементом D1.1 можно ввести усилитель на базе микросхемы операционного усилителя.


Дата публикации: 2004-02-15
Прочтено: 5676
Версия для печати: Версия для печати


  &nb
Мы рекомендуем еще посмотреть:

Зарядка аккумуляторов асимметричным током

<< Назад в раздел   Распечатать   Рекомендовать
Значительно лучших эксплуатационных характеристик аккумуляторов можно добиться, если их зарядку производить асимметричным томом. Схема устройства зарядки, реализующая такой принцип, показана на рисунке.

Схема зарядного устройства

При положительном полупериоде входного переменного напряжения ток протекает через элементы VD1, R1 и стабилизируется диодом VD2. Часть стабилизированного напряжения через переменный резистор R3 подается на базу транзистора VT2. Транзисторы VT2 и VT4 нижнего плеча устройства работают как генератор тока, величина которого зависит от сопротивления резистора R4 и напряжения на базе VT2. Зарядный ток в цепи аккумулятора протекает по элементам VD3, SA1.1, РА1, SA1.2, аккумулятор, коллекторный перепад транзистора VT4, R4.

При отрицательном полупериоде переменного напряжения на диоде VD1 рабо-та устройства аналогична, но работает верхнее плечо - VD1 стабилизирует отрицательное напряжение, которое регулирует протекающий по аккумулятору ток в обратном напряжении (ток разрядки).

Показанный на схеме миллиамперметр РА1 используется при первоначальной настройке, в дальнейшем его можно отключить, переведя переключатель в другое положение.

Такое зарядное устройство обладает следующими преимуществами: 1. Зарядный и разрядный токи можно регулировать независимо друг от друга. Следова-тельно, в данном устройстве возможно применять аккумуляторы с различной величиной энергоемкости. 2. При каких-либо пропаданиях переменного напряжения каждое из плеч закрывается и через аккумулятор ток не протекает, что защищает аккумулятор от самопроизвольной разрядки.

В данном устройстве из отечественных элементов можно применить в качестве VD1 и VD2 - KC133A, VT1 и VT2 - КТ315Б или КТ503Б. Остальные элементы выбираются в зависимости от зарядного тока. Если он не превышает 100 мА, то в качестве транзисторов VT3 и VT4 следует применить КГ815 или КТ807 с любыми буквенными индексами (расположить на теплоотводе с площадью теплорассеиваюшей поверхности 5...15 кв.см), а в качестве диодов VD3 и VD4 - Д226, КД105 тоже с любыми буквенными индексами.


Все самое необходимое для ремонта Электроники © ElectronicsDesign.RU, 2010. Все права защищены.